Петлицкая Татьяна Владимировна
Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки
Номер патента: 14296
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Ковалева Светлана Анатольевна, Витязь Петр Александрович, Пилипенко Владимир Александрович, Жорник Виктор Иванович, Петлицкая Татьяна Владимировна
МПК: C25D 11/02, B82B 3/00
Метки: создания, поверхности, либо, металлической, полупроводниковой, подложки, пленки, способ, окисной
Текст:
...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...