Точицкий Э. И.

Абразивный материал для прецизионной обработки поверхности

Загрузка...

Номер патента: 809

Опубликовано: 15.08.1995

Авторы: Акулич В. В., Точицкий Э. И., Селифанов О. В.

МПК: B24D 3/00, C23C 14/32, C30B 29/04...

Метки: абразивный, поверхности, обработки, материал, прецизионной

Текст:

...СОДВВШЭЩИЙ МНОГО водорода, материала, НИЗКОЙ ВЛЭЖНОСТЬЮ.НЭЛИЧИЭ препятствует ДОСТИЖВНИЮ ОЧЗНЬ ВЫСОКИХ ЗНЭЧЗНИЙ твердости, ХаракТЭРНЫХ ДЛЯ алмазов, И ЯБЛЯЭТСН ПРЫЧИНОЙ РЭЗЛОМОБ И ОТСЛОВНИН ПЛЕНОК.В источнике информации 4 описан абразивный материал в виде абразивной ленты, содержащей пластиковый носитель и тонкопленочный абразивный слои. Этот абразивный материал, твыбранный в обладает твердостью по Виккерсу более 500 иповерхностным...

Испаритель

Загрузка...

Номер патента: 359

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Точицкий Э. И., Обухов В. Е., Буравцев А. Т., Грицкевич Р. Н.

МПК: C23C 14/26

Метки: испаритель

Текст:

...охлаждается. Ножеаидные элементы 4 чдспарителяпредставляют собой концентрически пасло ложенныедкольца. Колеца соедииенъгмежду собой и с внешним усеченным тюиусом 2 с помощью теп-лопроаодящик ребер 9. Завет он между кольцами 055-3 мы. уголузлеме-нтовКаналы испарителя. количество которых составляет 16. оканчиваются в основании гсольцеобразньпми щеллми шириной 01-3 мм. Углы расходимости стенок каналов составляют 2-2 ОС Для повышения степени...

Способ плазменного нанесения покрытий в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 313

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Селифанов О. В., Точицкий Э. И., Станкевич Е. В.

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, покрытий, плазменного, способ, вакууме

Текст:

...с 1 д согтавляет 10 10 секунд 10 10 микросекунд). а также для интенсивного смешивания плазменньж лото показано) ДЛЯ ПРЗКТИЧЕСКН ПОЛНОГО УСков и формирования направленного к подложкодержателю потока плазмы осаждаемого материала. АКроме того, высокоинерционные микрокапли плазменных потоков (в случае 5 использования эрозионной плазмы)при достижении поверхности, нагретой до темературы близкой к критической температуре конденсации используемого...