Патенты с меткой «согласования»
Способ высокочастотного согласования электрической системы и используемая для этого печатная плата
Номер патента: 10764
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: БРЕШЕ, Петер, ХЕТЦЕР, Ульрих
МПК: H04B 15/02, H05K 1/16
Метки: печатная, плата, системы, высокочастотного, способ, используемая, этого, электрической, согласования
Текст:
...варианте зависящий от частоты параметр определяют и регулируют на незаполненной печатной плате. Это вызвано тем, что большинство высокочастотных параметров зависят от самой печатной платы, особенно для высокочастотных штепсельных разъемов. К этим параметрам относятся геометрические допуски плана размещения элементов, например проводящих дорожек, и допуски по диэлектрической постоянной материала, из которого изготавливают плату....
Способ согласования скоростей электромагнитных волн оптического и радиочастотного диапазонов
Номер патента: 8016
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Гончаренко Игорь Андреевич
МПК: G02F 1/035, G02B 26/00
Метки: способ, скоростей, электромагнитных, согласования, радиочастотного, диапазонов, волн, оптического
Текст:
...виде резонансно-туннельных диодов (РТД). Совокупность всех признаков в предлагаемом способе позволяет расширить частотный диапазон используемых радиосигналов, что достигается за счет изменения дисперсионных свойств среды распространения электромагнитной волны радиочастотного диапазона, позволяющих стабилизировать ее форму и согласовать ее скорость при взаимодействии со световым пучком. В рассматриваемом изобретении одновременно увеличивается...
Устройство согласования
Номер патента: 2096
Опубликовано: 30.03.1998
Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович, Попов Юрий Петрович
МПК: H03K 19/088
Метки: согласования, устройство
Текст:
...диод 15, вкпюченны 45 в направлен к входу 2 устройства. Устройство согласования работает.-Пусть в исходном состоянии на вкод 2 устройства поданннэкий уровень напряжения и устройство находится в зад крытом состоянии. При подаче на вход 2 напряжения высокого уровня величи на напряжения набазе транзистора 1(3 итторе транзистора 12) и базе транзистора 12 повьшается и по достижении величин, равной 21 Е, начинается процесс их одновременногоотпира...