Челядинский Алексей Романович
Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния
Номер патента: 18107
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Васильев Юрий Борисович, Челядинский Алексей Романович, Турцевич Аркадий Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович
МПК: H01L 21/322
Метки: геттерного, пластине, формирования, слоя, кремния, способ
Текст:
...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...