H01L 21/34 — изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в
Способ фотоселективного электрохимического осаждения меди на поверхность кремниевой пластины p-типа проводимости
Номер патента: 17444
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Кулак Анатолий Иосифович, Иванова Юлия Александровна, Иванов Дмитрий Константинович, Стрельцов Евгений Анатольевич
МПК: C25D 7/12, C25D 3/38, H01L 21/18...
Метки: фотоселективного, кремниевой, меди, осаждения, поверхность, p-типа, электрохимического, способ, пластины, проводимости
Текст:
...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...