Транзисторно-транзисторный инвертор

ГОСУДАРСТВННЫЙ номитвт ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ п-гнт осоР - А д(72) С.А.Ефименко, П.П.МалЬкович Агвеличения выходного тока. Поставленн В.Г. Шпаковсгсий ная цель достигается тем, что, в(53) 621. 374 (088 . 8) транэисторно-транзисторньпй инвертор,(56) Т.Хоровиц У.Хилл. Искусство. содержащи п-р-пттранзистор 1,схемотехники. М. Мир, 1984, т.1 п р - пч-транэистор 3, двухкаскадньтй с.521. эмиттерный повторитель д, резисторы Пгагурин И.И. Трансформаторно- 5, 9, дополнительно введен р-п-ртранзисторные логические скемын- ГРЗНЭИСТОР 10 И НОВЫЕ ФУНКЦИОНгПЪ-Ньте М. Сов.радио, 1974, с.89, рнсДЗ.1 О. связи. Это позволяет увеличить вы(54) ТРАНЗИСТОРНОТРАНЗИСТОРНЫЙ ИН- дюдной так ИНВРТОРЗа- ЧТО ПРИВОДИТ К ВЕРТОР повьшению нагрузочной способности и(57) Изобретение относится к импульс- УМЕНЬШЕНИЮ ВРЕМЕНИ Переключения инной технике хит-предназначено для ис- - БВРТОРЗ ИЗ СОСТОЯНИЯ ЛОГИЧЕСКОГО НУ гпользования в гштегратгьньш логиче- для в состояние логической единицы на ских микросхемах цифровых ЭВМ. Цент. ВЫХОДЕ. 2 ил.Изобретение относится к ШШУШСНОЙ технике и предназначено для использовання в интегралныщ логических микросхемах цйфровьш ЭВМ. Цель изобретения - повышение быстродействия и нагрузочной способности путем увеличения выходного тока. уНа Фит. 1 изображена электрическая схема устройства с одним вариантом 10 эмиттерного повторителя на фиг. 2 электрическая схема устройства с други вариантом эмиттерного повторителя.Предлагаемый транзисторно-транзис 5 торный инвертор содержит первый п Р п-транзистор 1, база которого соединена со входом 2 инвертора, эмиттер подключен к базе второго пп-р-птранеистора 3, коллектор подклшчен 20 ко входу двуккаскадного эмиттерного повторителя 4 и через первый резистор 5 к первой шине питания 6, эмиттер второго п-р-п-транзистора З подключен ко второй шине питания 7, коллек 25 тор соединен с выходом 8 ИнВЕРТ 0 Рг коллектор выходного транзистора ДВУХ каскадного эмиттерного повторители 4 через второй резистор 9 соединен С первой шиной питания 6, вьшод дБУКТ за каскадного эмиттерного повторителя 4 подклчен к выходу 8 инвертора,рг 1-р-транзистор 10, эмиттер которого соединен с первой шиной пнтения 6, коллектор с вьшодом 8 и- . 35 вертора а база - с коллектором выходного транзистора двухкаскадного эмиттерного повторителя 4- постоянная времени расса- 45 сьшания избыточного заряда. в насыщенном транзисторе 1 дм - ток базы второго транзистора в режие насьшення Тддд 7 ток коллектора второго транзистора в режиме насыщенияд В -.коэффицнент усиления тока второго транзистора макснальный вьшодной ток эмиттерного повторителя 55 о- время пролета носителей через базу транзистора,В результате время Ердуменьшается.При подаче на вход уровня логической единицы, транзисторы 1, 3 открыты и на вьшоде инвертора, благодарянасыщенному-траненсТ 0 РУ 3, поддержи , вается низкий потенциал т.е. уровенъ логического нуля, транзисторыЗ закрываются и открывается эмиттерный повторитель 4. После того,как коллекторный ток эмиттерного повторителя 4 возрастает до величины1 т 11301112, где 1 т - коллекторный ток эмиттерного повторителя 4 при котором открывается р-ч 1 р транзистор не ч сопротивление резистора 9,Открыается р - п-р-транзистор 10,коллекторный ток которого увеличивает значение выходного тока на величину 1 доп . . Един 3 о-п-р 1 о- едр П И/(м иду-Е где Шдоцдополнительиьй выходной ток, генерируемыи р - о - ртранэистором РРР - коэффициент усипения по токур-1-р-транвистора 1 О обратный ток насыщения перехода эмиттер-база р-п-ртраиэистора 10 Н падение напряжения на резисторе 9 М-д 4 температурный потенциал с учетом неидеальности вольт-амшерной характеристики перехода эмиттер-база р- п-р-транзистора 10. Как видно из Формулыа следовательно, уменьшается и время переключения из О в . При уменьшении уровня 1 на выходе по какой-либо причине (температур ные воздействия, большой ток нагрузки Н Т-дд) р чттр-транэистор 10 также открывается н в нагрузку поступает ток 1 дд т.е. ток нагрузки 1 возрастает иа величину 1 д, что означает увеличение нагрузочной способно СТН инвертора. ПРНЧЭМ УВЕЛИЧЕНИЕ на Ггузочной способности и увеличение быстродействия достигаются без воз РЗСТЭНИЯ ПЛОТНОСТИ ТОЖЕ, протекающегочерез транзисторы эмиттерного повторителя 4.Транзисторноттранэисторный инБгР тор, содержащий первьй п-рп-ТРЭН зистор, база которого соединена со входом инвертора, эмиттер подклчен к базе второго л-р-пттранэистора, коллектор подклчен ко входу ДВУХКНСкадного эмиттерного повторителя ичерез первый резистор к первой шинепитания, эмиттер второго п-р-птранзистора подключен ко второй шине питания,-коллектор соединен с выходоминвертора, коллектор ных 0 дногОтраН знстора, двухкаскадного эмиттерного повторителя через второй резистор со единен с первой шиной питания, выход двухйаскадного эмиттерного повторите ля подключен к вышоду инвертора, о те л н ч а ю щ и й с я тем, что, с Це лъю повышения быстродействия н нагрузочной способности путем увеличения въжодного тока, дополнительно введен р П рттранзнстор эмиттер КОТОРОГО соединен с первой шиной питания, коллектор с выодом инвертора, а база с коллектором выходного транэистора двухкаскадного эмиттерного повторителя.ВНИМП Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушсная наб. д. 4/5шп их ГППТГП ГЙ лини