Патенты с меткой «магниторезистивного»
Способ получения магниторезистивного материала на основе манганита лантана с температурой Кюри выше комнатной
Номер патента: 10361
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович
МПК: C01F 17/00, C01G 45/00, C04B 35/50...
Метки: лантана, получения, материала, выше, основе, кюри, температурой, комнатной, манганита, способ, магниторезистивного
Текст:
...формулой(или Са, , , у 2-3,5), в котором КМС может достигать 200(абсолютная величина) при комнатной температуре в поле 6 Т, если тонкую пленку нагреть в окислительной атмосфере, обычно потоке кислорода. Температура термообработки 300850 С, длительность - 10-12 минут 3. Пленка обычно создается на подложке или держателе с буферным слоем. Материалами подложки могут служить , 3 и 3. По своей сущности этот способ наиболее близок к...
Способ линеаризации градуировочной кривой магниторезистивного датчика
Номер патента: 8129
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Милитц Ганс, Скрипка Дмитрий Алексеевич, Лукашевич Михаил Григорьевич
МПК: G01R 33/028, G01R 33/02
Метки: кривой, градуировочной, линеаризации, способ, датчика, магниторезистивного
Текст:
...датчика при упрощении способа линеаризации магниторезистивного датчика и устройства для его реализации. Решение поставленной задачи достигается тем, что магниторезистивный датчик охлаждают до температуры ниже 100 К и прикладывают к нему периодическое напряжение,величина которого меньше и больше критического напряжения, при котором выделяемая в магниторезистивном датчике электрическая мощность приводит к его нагреву и переводу из состояния с...