Мамаду Сануси Камара

Номер патента: 2086

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Мамаду Сануси Камара, Лукашевич Михаил Григорьевич

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитометр

Текст:

...магнитного поля, на фиг.2 - разрез по А-А, на фиг.3 - градуировочный график и на фиг.4 - функциональная схема магнитометра. Датчик магнитного поля представляет собой подложку из полуизолирующего арсенида галлия 1 с сопротивлением 108 Ом см, на которой известными методами (например, эпитаксией) выращен магниточувствительный слой с концентрацией электронов 1016-1018 см-3 и изготовлены (например, фотолитографией) два магниточувствительные...

Номер патента: 1409

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Подоксик Эдуард Ефимович, Лукашевич Михаил Григорьевич, Мамаду Сануси Камара, Мацукевич Виталий Григорьевич

МПК: G01R 33/02

Метки: поля, магнитного, измерения, магниторезистивным, способ, датчиком

Текст:

...при параллельной и перпендикулярНОЙ ориентациях МЗГНИТНОГО ПОЛЯ относительно датчика, имеющего тшитрину не менее длины, а тошпину не более 0,1 длштьт,причем, матниторезистттвньш даттшк запитьваегся электрическим полем, меньцшм поля ПРОбОЯ, ЧТО ИСКЛЮЧЗСТ ВОЗМОЗКНОСТЬ ВОЗНИкновения генераЦионно-рекомбинатшонной неустойчивости и перегрева датсшка.Физической основой предлагаемого способа Измерения матнитното поля является НВЗНВИСИМОСТЪ...