Патенты с меткой «низкоэнергетичный»

Номер патента: 2013

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H05H 1/00

Метки: низкоэнергетичный, ионный, источник

Текст:

...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...