Шихта сегнетокерамического материала

111 2) госудагствиннов патентное ведомство РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬШикта сегнетокерамического материала, содержащая тнтанат бария, пятиокись ниобия,титанат висмута, титанат свинца, оксид цинка,оксид бора, марганецсодержащее и кобалътсодержащее соединения, отличающаяся тем, что она содержит в качестве марганецсодержащего и кобальтсодержащего соединения углекислый марганец и оксид кобальта при следующем(71) Заявитель Витебское ПО Монолит (ВУ)(73) Патентообладатель Витебский завод радиодеталей производственного объедине. ния Монолит (ВЧ)а ИСПОЛЬЗОВЗНО В керамическом КОНДЕНСЗТОРОСТО роении при ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКОЧЗСТОТНЫХ КОНденсаторов. Известна шихта для изготовления сегнетоке ю рЭМИЧВСКОГО КОНДВНСНТОрНОГО материала, со коСегнетокерамический материал на основе указанной шихты имеет удовлетворительные диэлектрические свойства и используется при изготовлении низкочастотных конденсаторов.Недостатком материала является то, что он имеет достаточно высокую температуру спекаНИН НЗПРИМЕЪ 5 пределах 12801360 С, В результате чего снижается эффективность его использования в керамическом конденсаторосгроении. Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является шихта для получения конденсаторного материала 1 1, содержащая следующие компоненты, мас.Исходный состав и соотношение компонентов шихты позволяют спекать керамику на ее основе при 1100-1150 С, что обеспечивает снижение стоимости изделий в результате возможности применения для вжигания электродов пасты, включающей смесь или сплав А 3-Рс 1, а также получить Е в пределах 23002700 и 16 порядка 1,6-2.Основным недостатком этой шихты является то, что для получения высокого уровня параметров керамики необходимо применять наиболее чистый и дорогостоящий ВаТ 5 О 3,получаемый химическим способом, что влияет на повышение стоимости получаемой керамики и ограничивает дальнейшее снижение стоимости изделий из нее.Предлагаемая шихта позволяет устранить вышеуказанные недостатки и обеспечивает достижение более высокою технического результата, заключающегося в снижении температуры спекания и повышении диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала на ее основе.Сущность изобретения заключается в том,что в заявляемой шихте сегнетокерамическою материала, содержащей титанат бария, пятиокись ниобия, титанат висмута, титанат свинца, оксид цинка, оксид бора, марганецсодержащее и кобальтсодержащее соединения,вышеуказанный технический результат достигается тем, что она содержит в качестве марганецсодержащего и кобальтсодержашего соединения углекислый марганец и оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.В данном случае снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала достигается в результате того, что титанат свинца и оксиды бора и цинка образуют при обжиге некоторое количество жидкой фазы,положительно способствующей уплотнениюКроме того, титанат свинца, обладая высокой диэлектрической проницаемостью, уменьшает подавление Е оксидами бора и цинка.Предлагаемую шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом твердофазового синтеза получают спеки титаната бария, титаната висмута и титаната свинца, которые измельчают,причем титанат бария измельчают до удельной поверхности 9000-10000 см 2/ г. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении, смеШивают с требуемым количеством оксидов ниобия, кобальта, цинка и бора и углекислого марганца. Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 10000-1200 смг/ г и используют для получения диэлектрика (сегнетокерамическою материала) конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии производства монолитных конденсаторов с температурой обжига (спекания) заготовок в пределах 114 О-11 б 0 С.Конкретные примеры оптимальных составов предлагаемой шихты, иллюстрирующие изобретение, приведены в табл. 1.ВаТ 1 О 3 9238-9438 Наименование компонентов ВаТЮз 92,38 ЫЬ 205 1 6 В 12 Т 12 О 7 1 ,35 МЦСОЗ 0, 14 Со 2 Оз 0,35 РЬТЕОэ 2,5 210 1 , 18 В 2 О 3 0,5Свойства сегнетокерамического материала на основе предлагаемой шихты, определяющие получаемый технический результат, подтвер 93,54 94,78 1,26 0,93 1,23 1,1 0,12 0,1 0,27 0,19 2,16 1,85 1,02 0,85 0,4 0,3ждаются результатами экспериментальной проверки, данные о которой приведены в табл.2.1. Температура спекания, С 1140 2. Диэлектрические потери,г д . 10-2 3. Диэлектрическая проницаемость, г 2385 4. Материал электрода Ав-Ра 5. Возможность применения ВаТ 1 О 3 получаемого методом твердофазового синтеза даПрактическое применение предлагаемой 1 ПИХТЫ СВГНЕТОКСРЗМИЧВСКОГО МЗТВРИЗЛН В производстве низкочастотных конденсаторов поаволяет снизить температуру спекания керамики на ее основе на 100 С и повыситьИссле уемые составы шихт заявляемая известнаядиэлектрическую проницаемость на 20-25 , в результате чего обеспечивается повышение удельной емкости конденсаторов и снижение расхода драгметаллов и технологических ма териалов на 540.Государственное патентное ведомство Республики Беларусь.