Филоненко В. И.

Номер патента: 681

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Костомаров С. В., Егоров Л. И., Филоненко В. И., Самойлов В. В.

МПК: C04B 35/00, C04B 35/46

Метки: материал, керамический, преимущественно, конденсаторов, низкочастотных

Текст:

...и высокой величины диэлектрической проницаемости. Получение материала путем смешивания высокоактивного ВаТЮз изготовленного низкотемпературной прокалкой титанилоксалата бария с заданным соотношением ВаО/ Т 1 О 2 0,991005 и низкоактивного Са 2 гО 3 с фиксированным средним размером зерна 2 мкм позволяет ограничить рост зерен при спекании и создать градиент концентрации в них основных и дополнительных элементов и,в результате, повысить...

Номер патента: 683

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Коробова И. А., Бертош И. Г., Самойлов Владимир Васильевич, Филоненко В. И., Мамчиц Эдуард Иосифович

МПК: C04B 35/46

Метки: материала, сегнетокерамического, шихта

Текст:

...висмута, титанат свинца, оксид цинка, оксид бора, марганецсодержащее и кобальтсодержащее соединения,вышеуказанный технический результат достигается тем, что она содержит в качестве марганецсодержащего и кобальтсодержашего соединения углекислый марганец и оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.В данном случае снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала достигается...