Егоров Л. И.

Номер патента: 681

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Егоров Л. И., Костомаров С. В., Филоненко В. И., Самойлов В. В.

МПК: C04B 35/00, C04B 35/46

Метки: преимущественно, керамический, конденсаторов, низкочастотных, материал

Текст:

...и высокой величины диэлектрической проницаемости. Получение материала путем смешивания высокоактивного ВаТЮз изготовленного низкотемпературной прокалкой титанилоксалата бария с заданным соотношением ВаО/ Т 1 О 2 0,991005 и низкоактивного Са 2 гО 3 с фиксированным средним размером зерна 2 мкм позволяет ограничить рост зерен при спекании и создать градиент концентрации в них основных и дополнительных элементов и,в результате, повысить...

Номер патента: 20

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Трояновская С. М., Алексеева Ф. К., Самойлов В. В., Питушко Е. В., Балакишева Т. А., Ротенберг Б. А., Мамчиц Э. И., Егоров Л. И., Дорохова М. П., Бертош И. Г.

МПК: H01G 4/12, C04B 35/46

Метки: сегнетокерамического, шихта, материала, конденсаторного, изготовления

Текст:

...03 0,1-0,3 глина 0,2-0,7 Полученны по-обычной керамической технологии при 1280-1 ЗбОСв течение 2 ч материал имеет следующие.характеристики 5 при 125 с 104-10 к АС/Сдол(1314) количество.потерьД по трещинам после пайки 718.смесь измельчают до удельной поверхч ностн 50007000 см/г. Полученную таким образом шихту используют для получения конденсаторного диэлектрика, из которого известным образом формуют заготовки конденсаторов и...