Питушко Е. В.

Номер патента: 20

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Мамчиц Э. И., Самойлов В. В., Егоров Л. И., Дорохова М. П., Балакишева Т. А., Ротенберг Б. А., Трояновская С. М., Бертош И. Г., Питушко Е. В., Алексеева Ф. К.

МПК: H01G 4/12, C04B 35/46

Метки: сегнетокерамического, шихта, материала, изготовления, конденсаторного

Текст:

...03 0,1-0,3 глина 0,2-0,7 Полученны по-обычной керамической технологии при 1280-1 ЗбОСв течение 2 ч материал имеет следующие.характеристики 5 при 125 с 104-10 к АС/Сдол(1314) количество.потерьД по трещинам после пайки 718.смесь измельчают до удельной поверхч ностн 50007000 см/г. Полученную таким образом шихту используют для получения конденсаторного диэлектрика, из которого известным образом формуют заготовки конденсаторов и...