Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала

. Авторское свидетельство СССР а днэ 1258825, кл. с 04 вз 5/46,1986КЕРАМЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕ РИАЛА у 1(57) Изобретение относится к облас ти радиоэлектронной техники, в часта иости к составам керамическикди1 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков,И МОЖЕТ быть ИСПОЛЬЗОВЗНО ДЛЙ ИзГ 0 товления низкочастотных конденсаторов.Цель изобретения сокращение по 1 терь керамики по микротрещинам при припаике к ней вьшодов.- мическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконата кальция.Полученные спеки измельс чают до удельной поверхности 4000 5000 смг/г. Затем измельченные спекн, ВЗЯТЫВ В заданном СООТНОШеНИИ смешивают с требуемым количествомс но для изготовления низкочастотных-конденсаторов 31 для сокращения потеръ р х керамики по мкротрещинам при пайке . 0к ней выоцов шхта.для изготовленяоегиетокерамическогоконденсаторного материала содержит в качестве добавки глину при следующем соотнодд929.Са 2 гОг-0,7-4,0.ЫЪ 2 О 5.О,7- 20 БщдО 5-0,11,О-МпС 03 0,1-0,3 глина 0,2-0,7 Полученны по-обычной керамической технологии при 1280-1 ЗбОСв течение 2 ч материал имеет следующие.характеристики 5 при 125 с 104-10 к АС/Сдол(1314) количество.потерьД по трещинам после пайки 718.смесь измельчают до удельной поверхч ностн 50007000 см/г. Полученную таким образом шихту используют для получения конденсаторного диэлектрика, из которого известным образом формуют заготовки конденсаторов и обжигают их при 128 О 1 З 60 С в тече ННЕ 2 ЧпШихта для изготовления сегието КЕРЭМИЧЕСКОГО КОНДЕНСЗТОРНОГО натериала, включающая Вет 103 СагОд ПЪдО, Бшдод, МпСОд н добавку, о т пиъвп2-9 8 целью сокращения потерь керамики по Саигод 0,7-4,0 мнкротрещинам при пайке к ней выво НЪ од 0 7-2 0 дон, она содержит в качестве добавки 5 Бшцд 030 глину при следующем соотношении ком Мпсод 0,-п 3 понентов мас. Глнна 0,2-0,7-2 7 95 2,4 1,3 0,7 0,2 0,4 3 92 4 2 1 0,3 0,7 57 7 .-Ее 9 д.ава 2. Сос Значение электрических и технологических тав параметров 8 Вид МОМ дС/Сдо , 2 Количество- при 1125 С потерь по трещнам 1 после пай кн, 1 зово 10 - 10 1 д 18 2 2920 под 6 з,5 9 3 2900 105 - 10 13 7 Известный 296 О 10 - 10 14 25 З 1 00 3 Ф 1 1 Ф 1 Ф Ф 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11----11-Ь 1 ипч-11111 Составитель Л.Косяченко . Редактор Н.Гунъко Техред М.Дндык . Корректор С.Шекмдр Заказ 1838/22 Тираж 589 ПодписноеВННМШИ Государственного комитета по изобретениям и открытнпм при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5