Кристаллодержатель

(51) МПК НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ(71) Заявитель Учреждение образования Гомельский государственный технический университет имени П.О.Сухого(72) Авторы Шабловский Ярослав Олегович Киселевич Валентин Владимирович(73) Патентообладатель Учреждение образования Гомельский государственный технический университет имени П.О.Сухого(57) Кристаллодержатель, содержащий корпус с теплоотводящими поверхностями, отличающийся тем, что корпус выполнен трехсекционным, средняя секция образована теплопроводящими поверхностями, каждая из внешних секций снабжена закрывающимся отверстием и заполнена кристаллическим веществом, для которого верхняя граница допустимых температур монокристалла является точкой фазового превращения с поглощением теплоты, а одна из внешних секций выполнена с возможностью перемещения.(2006.01) опубл. 03.11.2011. 2. Держатель монокристаллов для рентгеновского дифрактометра Патент 1436035 1,МПК 01 23/20 // Бюл.41. - 07.11.1988. 3. Кристаллодержатель полупроводникового прибора Патент 82 933 1, МПК 01 23/04 // Бюл.13. - 10.05.2009. 85012012.08.30 Полезная модель относится к лазерной и электронной технике, а именно к устройствам для установки и ориентировки монокристаллов. Известен кристаллодержатель 1, содержащий корпус, основание и пластичный уплотнитель. Недостатком данного устройства является невозможность его использования в качестве держателя монокристаллов, прозрачных для рабочего излучения, и монокристаллов, взаимодействующих с мощными потоками энергии. Известен кристаллодержатель 2, содержащий корпус, основание и юстировочную систему с зажимным устройством. Недостатком аналога является необходимость применения дополнительных приспособлений для принудительного охлаждения кристаллов при использовании данного устройства в качестве держателя монокристаллов, взаимодействующих с мощными потоками энергии. Наиболее близок к заявляемому кристаллодержатель 3, содержащий корпус с теплоотводящей поверхностью и молибденовое основание с керамической подложкой. Недостатком прототипа является низкая эффективность одностороннего теплоотвода,вынуждающая применять дополнительное принудительное охлаждение монокристаллов,взаимодействующих с мощными потоками энергии. Задачей предлагаемого технического решения является усовершенствование конструкции кристаллодержателя с целью обеспечения возможности предотвращения перегрева монокристалла, взаимодействующего с мощными потоками энергии, автономным способом (т.е. без принудительного охлаждения монокристалла). Поставленная задача решается тем, что в кристаллодержателе, содержащем корпус с теплоотводящими поверхностями, корпус выполнен трехсекционным, средняя секция образована теплоотводящими поверхностями, каждая из внешних секций снабжена закрывающимся отверстием и заполнена кристаллическим веществом, для которого верхняя граница допустимых температур монокристалла является точкой фазового превращения с поглощением теплоты, а одна из внешних секций выполнена с возможностью перемещения. Представлена фигура, поясняющая предлагаемое устройство. Устройство имеет неподвижную секцию 1 и подвижную секцию 2, пространство между которыми образует среднюю секцию 3. Секции 1 и 2 заполнены кристаллическим веществом 4, причем каждая из этих секций снабжена отверстием с пробкой 5 и втулкой 6. Микрометрический винт 7, снабженный стопорным кольцом 8, обеспечивает возможность плавного вертикального перемещения подвижной секции 2 относительно неподвижной секции 1 по направляющим 9, что позволяет варьировать высоту средней секции 3, которая служит полостью для размещения монокристалла 10. Неподвижную секцию 1 и подвижную секцию 2 изготавливают из материала с высокой теплопроводностью, например из меди марок М 1 р (М 1 ф) либо М 2 р. Эти секции 1 и 2 заполняют кристаллическим веществом 4, для которого верхняя температурная граница поддерживаемого охлаждения является точкой фазового превращения с поглощением теплоты. Вещества, пригодные для использования в качестве наполнителя секций 1 и 2, указаны в таблице. Первоочередным фактором выбора наполнителя является близость точки его фазового превращения 0 к верхней границедопустимых температур монокристалла 0. При наличии нескольких наполнителей с мало различающимися температурами фазового пре вращения выбор наполнителя определяется условием, где- плотность 12 наполнителя,- теплота его фазового превращения, 1 - объем секции 1, 2 - объем секции 2,- продолжительность взаимодействия монокристалла с потоком энергии,- тепловая мощность, поглощаемая монокристаллом при. Устройство работает следующим образом. Монокристалл помещают на нижнюю плоскость средней секции 3, после чего вращением микрометрического винта 7 перемещают подвижную секцию 2 по направляющим 9 до соприкосновения верхней грани монокристалла с верхней плоскостью секции 3. Тем самым обеспечивается двухстороннее отведение тепла от монокристалла 10 к кристаллическому наполнителю 4 при нагреве монокристалла (например, в результате его оптического, электронного и т.п. облучения) в процессе его эксплуатации в лазерной установке,мощном оптоэлектронном приборе и т.д. Достижение верхней границы допустимых температур монокристалла инициирует фазовое превращение кристаллического наполнителя 4, поглощающее теплоту и тем самым предотвращающее перегрев монокристалла. Таким образом, заявленная конструкция кристаллодержателя позволяет предотвратить перегрев монокристалла, взаимодействующего с мощными потоками энергии, без применения принудительного жидкостного либо воздушного охлаждения. Национальный центр интеллектуальной собственности. 220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.