Шишканова Л. Г.

Номер патента: 237

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Бобкова Н. М., Рачковская Г. Е., Шишканова Л. Г., Афанасьева М. А.

МПК: C03C 10/06

Метки: цемента, стеклокристаллического, стекло

Текст:

...технологии В СЛЕДУЮЩЕМ РЕЖИМЕ НЗГВЕВ СО СКО ростью 5-7 С/ми до температуры кристаллизации, выдержка при этой темпе ратуре 15-20 мин н охлаждение покры- 3 о Важное значе ние при формировании стеклокристаллического покрытия имеет интервал между температурой начала размягчения Идолжно вначале расплавиться, хорошо растечься по поверхности подложки, образуя равномерный слой,а затемЗЗКРИСТЗЛЛИЗОВЗТЬСЯ. СНИЖЕНИЕ температуры начала...