Способ выращивания растений
Номер патента: 5957
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Куницкий Михаил Михайлович, Смычник Анатолий Данилович
Текст
(12) НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ(71) Заявитель Общественное объединение Белорусская академия безопасности жизнедеятельности (ОО БелАБЖ)(72) Авторы Смычник Анатолий Данилович Куницкий Михаил Михайлович(73) Патентообладатель Общественное объединение Белорусская академия безопасности жизнедеятельности (ОО БелАБЖ)(57) 1. Способ выращивания растений, включающий посадку и окучивание, отличающийся тем, что окучивание осуществляют послойно рыхлым и/или волокнистым материалом и почвенным грунтом. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что окучивание выполняют многослойным, с образованием гребня, состоящего из чередующихся слоев рыхлого и/или волокнистого материала и почвенного грунта. 5957 1 Изобретение относится к растениеводству и может быть использовано в сельском хозяйстве при выращивании картофеля, томатов и других корнесобственных растений. Лучшими свойствами обладают почвы, в которых твердая часть, вода и воздух сохраняются в равных соотношениях. Известны способы выращивания растений 1, 2, 3. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к заявляемому известен способ выращивания картофеля, включающий посадку и окучивание (укрытие) растений почвой 4 (прототип). Однако, особенно на тяжелых глинистых почвах, не обеспечиваются благоприятные условия для развития корневой системы растущих растений, например, картофеля, томатов и т.п. Задача изобретения - создание благоприятных условий для развития растений. Поставленная задача выполняется тем, что в способе, включающем посадку и окучивание, окучивание осуществляют послойно рыхлым и/или волокнистым материалом и почвенным грунтом. При этом окучивание можно выполнять и многослойным с образованием гребня, состоящего из чередующихся слоев рыхлого и/или волокнистого материала и почвенного грунта. На фигуре схематично изображено растение, окученное (укрытое) по предлагаемому способу. На дно борозды или лунки 1 в грунт сажают растение. Укрытие (окучивание) растения осуществляют слоем 2 рыхлого и/или волокнистого материала, например сено,солома и т.п., и слоем 3 почвенного грунта. При необходимости окучивание выполняют многослойным из чередующихся слоев волокнистого материала и почвенного грунта, что позволяет образовать высокий гребень при относительно малом расстоянии между бороздами (лунками). Пример выращивания картофеля по предлагаемому способу. Клубни укладывают на дно глубокой борозды (лунки) и присыпают почвенным грунтом толщиной 1-1,5 см. Рекомендуемая толщина присыпки на тяжелых (глинистых или дерново-подзолистых) почвах равна 1-1,5 см, а на легких (супесчаных и песчаных) три сантиметра. При укладке клубней в борозды температура почвы на глубине борозды составляет 0 -3 С. При появлении на клубнях корней (после укладки в борозды через 35 суток) контрольными единичными раскопками устанавливают наличие корней и борозды закрывают слоем волокнистого, например сено, солома и т.п., материала, а по мере роста и появлении на поверхности ботвы окучивают почвенным грунтом толщиной слоя 1-15 см. Для обеспечения высокого гребня растение по мере роста укрывают очередными слоями волокнистого материала и почвенного грунта и тем самым создают многослойное укрытие. Предлагаемый способ за счет создания благоприятных условий в зоне растения обеспечивает ускорение физико-биохимических процессов, а также аэрацию, прогревание,активизацию микробиологических процессов и увеличение объема корневой системы кустов картофеля на 4050 , что увеличивает урожайностьв 2 раза и способствует более раннему (на 12 суток) созреванию. Источники информации 1.17205581, 1992. 2.4794726, 1989. 3.1456033 А 1, 1989. 4.1650023 А 1, 1991 (прототип). Национальный центр интеллектуальной собственности. 220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.
МПК / Метки
МПК: A01C 7/00
Метки: способ, выращивания, растений
Код ссылки
<a href="https://by.patents.su/2-5957-sposob-vyrashhivaniya-rastenijj.html" rel="bookmark" title="База патентов Беларуси">Способ выращивания растений</a>
Предыдущий патент: Система управления фрикционной муфтой блокировки гидротрансформатора
Следующий патент: Пролонгатор фолликулостимулирующего гормона
Случайный патент: Устройство радиолокационного сопровождения целей