Полейко Анатолий Дорофеевич

Номер патента: 2905

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Тарасенко Галина Владимировна, Горкер Лев Семенович, Полейко Анатолий Дорофеевич, Дягилева Татьяна Владимировна, Плешкова Людмила Владимировна

МПК: B23K 35/363

Метки: радиодеталей, пайки, лужения, флюс, керамических

Текст:

...пленку, которая ус 1335396тойчива по отношению к растворителям,повышает сопротивление изоляции В, и не ухудшает диэлектрические потериАцетангидрид является катализатором реакцин этерификации и удаляется из зоны пайки в виде уксусной кислоты, имеющей температуру кипения порядка пвс.Кроме того, образующиеся В ПРОЦЭС се реакции активные вещества способствуют повышению активности активной части флюса.Касторовое масло используется в в качестве...

Номер патента: 2892

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Мамчиц Эдуард Иосифович, Полейко Анатолий Дорофеевич, МАСТЫКО Лариса Павловна, Самойлов Владимир Васильевич

МПК: H01G 4/12, C04B 35/00

Метки: конденсаторов, шихта, сегнетокерамического, материала, низкочастотных

Текст:

...которая включает оксид свинца, оксид железа, пентоксид ниобия, кислородсодержащее соединение вольфрама и модифицирующую добавку, в соответствии с изобретением шихта содержит в качестве кислородсодержащего соединения вольфрама вольфрамовую кислоту, в качестве модифицирующей добавки по меньшей мере одно соединение из группы, включающей углекислый кальций, углекислый барий и углекислый марганец и дополнительно оксид меди при следующем...

Номер патента: 2490

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Мамчиц Эдуард Иосифович, Самойлов Владимир Васильевич, Полейко Анатолий Дорофеевич, Приставко Галина Андреевна, Трифонова Валентина Михайловна, Костомаров Владимир Степанович, Худякова Ольга Владимировна

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: шихта, сегнетокерамического, получения, материала, способ, конденсаторного

Текст:

...дальнейшем повышении значений диэлектрической проницаемости и снижении температуры спекания материала. Сущность изобретения заключается в том, что в заявляемой шихте сегнетокерамического конденсаторного материала, включающей титанат бария, титанат свинца, титанат висмута, пентоксид ниобия, оксид кобальта, углекислый марганец, оксид цинка и боросодержащее соединение, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что она...