H01S 3/19 — H01S 3/19

Номер патента: 1385

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Манак Иван Степанович, Афоненко Александр Анатольевич

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полупроводниковый

Текст:

...ИМВПИСЬ как ЗЖТИВНЪЯ, УСИПИВЕЪЮЩЗЯ ИЗЛУЧЕНИЕ, так И ПЗССИВНЕЪЯ, Опоглощающая излучение, области. В предлагаемом устройстве это достигается использованием в качестве квантовой ямы, усиливающей излучение меньшей длины волны, квантоворазмерного слоя меньшей толщины или большей ширины запрещенной зоны по сравнению с поглощающим это излучение слоем. Возможно также и одновременное отличие указанных слоев как по толщине, так и ширине запрещенной...

Номер патента: 1099

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Манак Иван Степанович, Афоненко Александр Анатольевич

МПК: H01S 3/19

Метки: полупроводниковый, бистабильный, элемент, лазерный

Текст:

...слоя приводит к разнице потенциальных барьеров для носителей тока со стороны барьерного слоя и эмиттерного слоя п-типа. В результате электроны легко инжектируются через поглощающий квантоворазмерный слой в усиливающий. Сущность изобретения поясняется чертежами. На фиг.1 показан общий вид бистабильного полупроводникового лазерного элемента. На фиг.2 представлена зонная схема лазерного элемента, показывающая изменение энергии в зоне...