Бокшиц Юлия Валентиновна

Номер патента: 10742

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Шевченко Гвидона Петровна, Бокшиц Юлия Валентиновна, Фролова Елена Владимировна, Малашкевич Георгий Ефимович

МПК: G02B 1/00, C09K 11/08

Метки: люминесцирующая, пленка

Текст:

...относительно невысокая интенсивность люминесценции ионов 3 из-за небольшого квантового выхода ее сенсибилизации ионами 3 и плохое согласование полос люминесценции с областью максимальной спектральной чувствительности кремниевых солнечных элементов. Задачей предлагаемого изобретения является повышение интенсивности люминесценции пленки и улучшение согласования ее полосы люминесценции с областью максимальной спектральной чувствительности...

Номер патента: 8059

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Шевченко Гвидона Петровна, Бокшиц Юлия Валентиновна, Першукевич Петр Павлович

МПК: C09K 11/74, G02B 1/00, C09K 11/30...

Метки: люминесцирующая, пленка

Текст:

...лежит при 615 нм, а доля квантов, излучаемых в этой полосе, составляет 60 . Основным недостатком этой пленки (прототипа) является низкая интенсивность люминесценции ионов Е 3 в полосе при 700 нм (т.е. в области более высокой спектральной чувствительности кремниевых солнечных элементов) из-за малой ( 25 ) доли квантов, испускаемых в соответствующем переходе (переход 5074), а также слабого поглощения в полосе переноса заряда О 2-Е...

Номер патента: 6909

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Шевченко Гвидона Петровна, Бокшиц Юлия Валентиновна, Семкова Галина Ивановна, Малашкевич Георгий Ефимович, Першукевич Петр Павлович, Свиридов Вадим Васильевич

МПК: C09K 11/74, G02B 1/10

Метки: люминесцирующая, пленка

Текст:

...мол. А 12 О 3 85-99, Еи 3 1-15. Оптическая плотность такой пленки менее 0,1 при Ж 240 нм, а основная полоса люминесценции лежит при Ж 615 нм.Основным недостатком этой пленки (прототипа) является низкая интенсивность люминесценции при Ж 615 нм из-за малых ширины и сечений внутриконфигурационных полос поглощения ионов Еизд, а также слабого поглощения в полосе переноса заряда (расположена при 240 нм) и низкой эффективности передачи...