Шихта керамического материала для высокочастотных конденсаторов

Номер патента: 10302

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Савчук Галина Казимировна, Акимов Александр Иванович

Скачать PDF файл.

Текст

Смотреть все

(51) МПК (2006) НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ(71) Заявитель Государственное научное учреждение Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси(72) Авторы Акимов Александр Иванович Савчук Галина Казимировна(73) Патентообладатель Государственное научное учреждение Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси(57) Шихта керамического материала для высокочастотных конденсаторов, содержащая оксид титана и оксид висмута, отличающаяся тем, что дополнительно содержит карбонат марганца при следующем соотношении компонентов, мас.2 38,5-42,0 2 58,0-60,5 3 0,8-3,0. Изобретение принадлежит к области получения керамических материалов, обладающих высоким значением диэлектрической проницаемости и может быть использовано в керамическом конденсаторостроении, преимущественно для изготовления высокочастотных конденсаторов. Известен керамический материал для высокочастотных конденсаторов, включающий В 2 О 3, 2, который имеет диэлектрическую проницаемость 1, значение которой для ряда применений имеет слишком низкое значение. Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является диэлектрический материал на основе соединения 2411, шихта которого содержит В 2 О 3,2 2. Существенным недостатком материала является то, что материал имеет недостаточно высокую (53) относительную диэлектрическую проницаемость. 10302 1 2008.02.28 Предлагаемая шихта керамического материала позволяет устранить недостатки известных материалов такого же назначения и обеспечивает достижение более высокого значения диэлектрической проницаемости (до 118). Сущность изобретения заключается в том, что в предлагаемой шихте керамического материала, преимущественно для высокочастотных конденсаторов, включающем В 2 О 3 и 2, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит МСО 3 при следующих соотношениях компонентов, мас.23(0,8-3,0). Получение керамического материала осуществляется следующим образом. В смесь из исходных компонент 23 и 2, взятых в необходимом соотношении, дополнительно вводится МСО 3. В порошки добавляется этиловый спирт до получения консистенции густой сметаны. Полученная смесь подвергается помолу в вибромельнице в течение 600 мин. Высушенная смесь после помола прессуется в таблетки при давлении 0,1 ГПа. Синтез образцов проводится в электрической печи в атмосфере воздуха в алундовых тиглях при температурах (1050-1150) С в течение 4-8 ч. После синтеза керамический материал измельчается и подвергается помолу. В порошок после помола добавляется пластификатор, после чего полученная смесь формовалась в диски, обжиг которых производился в электропечах при температурах 1210-1240 С в течение 2-6 ч. Полученные керамические образцы имели высокую плотность и соответственно низкое водопоглощение. Конкретными примерами заявляемой шихты керамического материала, иллюстрирующими изобретение, являются следующие составы Компонент,мас.23 2 МСО 3 Свойства керамического материала подтверждаются результатами экспериментальной проверки, данные о которых приведены в таблице. Характеристики керамического материала Диэлектрическая проницаемость Составы керамического материала Заявляемые Состав 2 Состав 3 Состав 4 Состав 5 105 Как следует из таблицы, предлагаемая шихта керамического материала в сравнении с прототипом позволяет повысить диэлектрическую проницаемость на 123 . Это свидетельствует о преимуществах предлагаемой шихты керамического материала предназначенного преимущественно для высокочастотных конденсаторов. Анализ результатов исследования характеристик керамических образцов, полученных из шихты с различными добавками МСО 3 показывает, что наилучшие показатели имеет состав 3. Оптимальность состава предлагаемой шихты керамического материала подтверждается тем, что при введении добавки МСО 3 более максимального количества 4 мас.(состав 5), а при введении его менее минимального количества (состав 1) 0,1 мас.происходит уменьшение значения относительной диэлектрической проницаемости. Экспериментально установлено, что наилучший технический результат достигается при заявляемом соотношении компонентов материалов. 2 10302 1 2008.02.28 Технология изготовления керамического материала проста и промышленно применима. Практическое применение керамического материала, изготовленного из заявляемой шихты обеспечивает малые экономические затраты при получении материала и низкую себестоимость высокочастотных конденсаторов на его основе. В настоящее время разработана рецептура и техпроцесс получения шихты керамического материала заявляемого состава, а также изготовлены опытные партии материала и изделий из него и проведены их испытания, результаты которых подтверждают получение технического результата. Источники информации 1..,.-- 2411 //. - 1995. .51. - . 11-18. 2. Акимов А.И., Савчук Г.К. Синтез соединения 2411 и спекание керамических материалов на его основе. Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40. -7 - С. 716-721. Национальный центр интеллектуальной собственности. 220034, г. Минск, ул. Козлова, 20. 3

МПК / Метки

МПК: C04B 35/01, H01G 4/12

Метки: керамического, высокочастотных, материала, конденсаторов, шихта

Код ссылки

<a href="https://by.patents.su/3-10302-shihta-keramicheskogo-materiala-dlya-vysokochastotnyh-kondensatorov.html" rel="bookmark" title="База патентов Беларуси">Шихта керамического материала для высокочастотных конденсаторов</a>

Похожие патенты